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武漢新芯三片晶圓堆疊技術(shù)研發(fā)成功

2018/12/3 13:04:00 來(lái)源：中國(guó)企業(yè)新聞網(wǎng) 評(píng)論：(0)

導(dǎo)言：武漢新芯推出晶圓級(jí)三維集成技術(shù)，實(shí)現(xiàn)三片晶圓堆疊鍵合 12月3日，武漢新芯集成電路制造有限公司，一家領(lǐng)先的半導(dǎo)體研發(fā)與制造企業(yè)，宣布基于其三維集成技術(shù)平臺(tái)的三片晶圓堆疊技術(shù)研發(fā)成功。

武漢新芯推出晶圓級(jí)三維集成技術(shù)，實(shí)現(xiàn)三片晶圓堆疊鍵合

12月3日，武漢新芯集成電路制造有限公司，一家領(lǐng)先的半導(dǎo)體研發(fā)與制造企業(yè)，宣布基于其三維集成技術(shù)平臺(tái)的三片晶圓堆疊技術(shù)研發(fā)成功。

武漢新芯的晶圓級(jí)集成技術(shù)可將三片不同功能的晶圓（如邏輯、存儲(chǔ)和傳感器等）垂直鍵合，在不同晶圓金屬層之間實(shí)現(xiàn)電性互連。與傳統(tǒng)的2.5D芯片堆疊相比，晶圓級(jí)的三維集成技術(shù)能同時(shí)增加帶寬，降低延時(shí)，帶來(lái)更高的性能與更低的功耗。

武漢新芯技術(shù)副總裁孫鵬表示：“三維集成技術(shù)是武漢新芯繼NOR Flash、MCU之外的第三大技術(shù)平臺(tái)。武漢新芯的三維集成技術(shù)居于國(guó)際先進(jìn)、國(guó)內(nèi)領(lǐng)先水平，已積累了6年的大規(guī)模量產(chǎn)經(jīng)驗(yàn)，能為客戶提供工藝先進(jìn)、設(shè)計(jì)靈活的晶圓級(jí)集成代工方案。”武漢新芯自2012年開(kāi)始布局三維集成技術(shù)，并于2013年成功將三維集成技術(shù)應(yīng)用于背照式影像傳感器，良率高達(dá)99%，隨后陸續(xù)推出硅通孔（TSV）堆疊技術(shù)、混合鍵合（Hybrid Bonding）技術(shù)和多片晶圓堆疊技術(shù)。

晶圓級(jí)的三維集成技術(shù)為后摩爾時(shí)代芯片的設(shè)計(jì)和制造提供了新的解決方案，在對(duì)帶寬、性能、多功能集成等方面有重要需求的人工智能和物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域擁有頗為廣泛的應(yīng)用前景。

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[責(zé)任編輯：姚小冰]