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• 基于具競爭優(yōu)勢的電力半導(dǎo)體技術(shù)拓展高附加值、高增長業(yè)務(wù)
• 將從冰箱等家電擴展至電動汽車、太陽能等應(yīng)用領(lǐng)域
• 以在2024年內(nèi)確保全電壓區(qū)間的工藝技術(shù)為目標

　　10月31日，最近，8英寸晶圓代工廠DB HITEK正在升級超高壓（UHV）電力半導(dǎo)體工藝技術(shù)，并正式推進相關(guān)業(yè)務(wù)。

　　超高壓電力半導(dǎo)體工藝技術(shù)的應(yīng)用領(lǐng)域廣泛，包括家電、汽車、通信、工業(yè)等，支持設(shè)計和制造用于驅(qū)動電機的 Gate Driver IC。Gate Driver IC市場占電力半導(dǎo)體IC市場的8%，預(yù)計自2022年至2027年年平均增長率達109%，需求有望大幅增加。

　　DB HITEK采用了以具競爭優(yōu)勢的電力半導(dǎo)體技術(shù)為基礎(chǔ)，拓展超高壓電力半導(dǎo)體業(yè)務(wù)，從而提升競爭力的戰(zhàn)略。

　　通過此次工藝技術(shù)升級，DB HITEK將創(chuàng)造能夠在Gate Driver IC中同時使用Level-Shifter絕緣方式和Galvanic絕緣方式的環(huán)境。由此，客戶們可以發(fā)揮芯片便于設(shè)計的Level-Shifter和高壓操作穩(wěn)定性較高的Galvanic絕緣的各自優(yōu)勢，并且該工藝的應(yīng)用范圍也有望從現(xiàn)有的家電領(lǐng)域擴展至汽車、太陽能領(lǐng)域。

　　今年5月，DB HITEK首度推出了可以應(yīng)用于系統(tǒng)空調(diào)等大功率壓縮機，且采用寬電壓，便于設(shè)計的900V級Level-Shifter。此外，實現(xiàn)了原本安裝于芯片外部的Bootstrap Diode內(nèi)置自主研發(fā)了縮小體積的技術(shù)，并申請了專利，創(chuàng)造了不同于其他代工廠的Gate Driver IC設(shè)計環(huán)境。

　　DB HITEK表示，未來將確保可在矽電半導(dǎo)體中實現(xiàn)的全區(qū)間工藝技術(shù)， 并提供適用于各領(lǐng)域的最佳Gate Driver設(shè)計環(huán)境。

　　具體來說，DB HITEK計劃于2024年1月將在Gate Driver IC市場中占最大比重10%的家電領(lǐng)域提供最佳600V工藝，并于年內(nèi)依次確保用于電動滑板車及電動踏板車的200V工藝和用于紡織機及工規(guī)用1200V工藝，提升超高壓電力半導(dǎo)體的競爭力。