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亞太地區(qū)知名專家學者將齊聚APCSCRM 2018

近年來，碳化硅等寬禁帶半導體已成為全球高技術領域競爭戰(zhàn)略制高點之一，國際半導體及材料領域研究和發(fā)展的熱點。寬禁帶半導體照明已經形成巨大規(guī)模的產業(yè)，并在電子功率器件領域繼續(xù)深入發(fā)展。國際上已有ICSCRM (International Conference on Silicon Carbide and Related Materials) 和ECSCRM (European Conference on Silicon Carbide and Related Materials)兩大品牌國際會議，在地域上主要體現為美國和歐洲的科技發(fā)展態(tài)勢，為了推動亞太地區(qū)碳化硅等寬禁帶半導體產業(yè)與學術的發(fā)展，加強交流與協(xié)同創(chuàng)新，由中關村天合寬禁帶半導體技術創(chuàng)新聯(lián)盟、中科院物理所和北京硅酸鹽學會發(fā)起并主辦第一屆亞太碳化硅及相關材料國際會議(Asia-Pacific Conference on Silicon Carbide and Related Materials, APCSCRM 2018)將于2018年7月9日-12日在北京舉行，參會規(guī)模近400人。

此次會議將圍繞寬禁帶半導體材料生長技術、材料結構與物性、光電子和電子器件研發(fā)以及相關設備研發(fā)等領域開展廣泛交流，促進產學研的相互合作和交流。深信這次會議必將對亞太地區(qū)碳化硅等寬禁帶半導體材料與器件的學術研究、技術進步和產業(yè)發(fā)展起到有力的推動作用。 

APCSCRM將是一個亞太地區(qū)高水平的碳化硅等寬禁帶半導體相關材料、器件的產業(yè)與學術并重的高水平論壇。從2018年開始，每年召開一次大會，地點在亞太地區(qū)不同地點輪換。

APCSCRM會議邀請來自亞太地區(qū)知名的專家學者齊聚一堂，共同學習和交流寬禁帶半導體材料生長、器件制備及封裝和器件模塊應用等領域理論和技術。以下是部分邀請專家簡介：

1. 新井 學（新日本無線，日本）

報告名稱：寬禁帶半導體（碳化硅、氮化鎵、氧化鎵和金剛石）器件綜述

2. 高冰（武漢大學，中國）

報告名稱：碳化硅PVT生長基面位錯模擬及其控制

3. 顧亦磊（陽光電源股份有限公司，中國）

報告名稱：基于SiC MOSFET的高效高功率密度光伏逆變器

4. 土方 泰斗（琦玉大學，日本）

報告名稱：基于Si和C的發(fā)射模型的SiC的熱氧化過程的宏觀模擬

5. 黃偉（復旦大學，中國）

報告名稱：可融合GaN/Si半導體器件與集成技術

6. 巖室 憲幸（筑波大學，日本）

報告名稱：碳化硅MOSFET器件的最新進展

7. 紀世陽（產業(yè)技術綜合研究所，日本）

報告名稱：CVD外延——新型4H-SiC超結MOSFET的關鍵技術

8. 李順峰（北京大學東莞光電研究院，中國）

報告名稱：硅基GaN功率電子器件的開發(fā)應用與展望

9. 劉國友（中國株洲中車時代電氣股份有限公司，中國）

報告名稱：SiC器件在軌道交通中的應用前景

10. 陸國權（弗吉尼亞理工大學，美國）

報告名稱：汽車用高功率密度碳化硅功率模塊的封裝

11. 松浦 秀治（ 大阪電氣通信大學，日本）

報告名稱：利用霍爾效應測量寬禁帶半導體的電學特性

12. 水原 德健（ROHM半導體(上海)有限公司，日本）

報告名稱：功率器件(SiC)的市場應用~SiC功率器件的特征、應用

13. 邱顯欽（長庚大學，臺灣）

報告名稱：六寸硅基氮化鎵功率與微波器件封裝與模塊開發(fā)

14. 邱宇峰（全球能源互聯(lián)網研究院，中國）

報告名稱：SiC器件在未來電網中的應用

15. 孫國勝（東莞天域半導體科技有限公司，中科院半導體所，中國）

報告名稱：4H-SiC中三角形缺陷結構及成因研究進展

16. 溫旭輝（中國科學院電工研究所，中國）

報告名稱：電動汽車用超高功率密度SiC逆變電源的技術途徑分析

17. 張清純（北卡羅來納州立大學，美國）

報告名稱：寬禁帶半導體器件（氮化鎵和碳化硅）及其應用的現狀與展望

本次會議還面向國內外高校、科研院所和企事業(yè)單位的寬禁帶半導體材料、器件、應用領域的專業(yè)技術人員征稿，投稿說明：

1. 投稿通過APCSCRM官網在線投稿

（投稿操作說明：，論文提交欄目下載）

2. 摘要提交截止日期：2018年6月30日

3. 全文投稿截止日期：2018年7月31日

4. 投稿人請隨時關注論文評審情況（APCSCRM官網在線投稿系統(tǒng)）。