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ATP 發(fā)布面向汽車電子及工業(yè)應(yīng)用的3D TLC SD/microSD存儲卡產(chǎn)品 S600Sia系列

定制化設(shè)計，64層3D NAND，高可靠存儲產(chǎn)品

10月16日，專注于工業(yè)應(yīng)用的存儲解決方案領(lǐng)導(dǎo)廠商ATP Electronics（華騰國際科技）日前發(fā)布了其最新產(chǎn)品線 S600Sia, 這是ATP首個采用3D TLC NAND flash設(shè)計的A1 性能等級SD卡和microSD卡產(chǎn)品系列，面向汽車電子及工業(yè)領(lǐng)域應(yīng)用。

ATP采用的64層3D NAND技術(shù)由于其優(yōu)良的特性，已成為電子及工業(yè)應(yīng)用市場的主流選擇，在未來5年會確保有穩(wěn)定的原料供應(yīng)，3D NAND所采用的垂直堆疊工藝還有效避免了2D NAND時代因工藝微縮帶來的可靠性下降問題。

ATP 3D TLC 存儲卡不僅延續(xù)了2D NAND時代嚴(yán)格的可靠性測試要求，還特別為汽車電子和工業(yè)應(yīng)用要求進行了專門的性能優(yōu)化
車規(guī)級可靠性、性能及耐久度。 ATP 3D TLC S600Sia 系列存儲卡經(jīng)歷了從集成電路元器件到產(chǎn)品各階段嚴(yán)格的寫入耐久度、數(shù)據(jù)保持能力及寬溫測試。產(chǎn)品遵循ISO，JEDEC，AEC-Q100/AECQ-104等車規(guī)標(biāo)準(zhǔn)及溫度相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)，同時ATP也可按照客戶要求進行定制化測試及生產(chǎn)，例如遵循ISO 16750標(biāo)準(zhǔn)等.

跨溫度范圍場景下的ATP動態(tài)自動校準(zhǔn)機制（Dynamic Self-Recovery Calibration）
除了支持-40°C 到 85°C的工作溫度范圍，ATP S600Sia系列SD/microSD卡還經(jīng)歷了跨溫度范圍的各項測試，以確保其可靠度，產(chǎn)品中采用的動態(tài)自動校準(zhǔn)機制是一種軟硬件設(shè)計相結(jié)合的技術(shù)，能使SD/microSD適應(yīng)各種溫度模式下的使用要求。

了解更多有關(guān)ATP跨溫度范圍測試的信息可訪問網(wǎng)頁:

ATP的產(chǎn)品為數(shù)據(jù)管理需求提供定制化支持
物聯(lián)網(wǎng)和車聯(lián)網(wǎng)(IoT/IoV)產(chǎn)生的大數(shù)據(jù)將在未來十年推動數(shù)據(jù)熱潮。無論是智能工廠還是自動駕駛汽車，數(shù)據(jù)管理現(xiàn)在都是一個關(guān)鍵問題。高效的數(shù)據(jù)處理和實時分析需要邊緣設(shè)備提供更快、更穩(wěn)定的性能。ATP 3D TLC SD/microSD卡具有4KB頁面管理和SLC緩存算法，與傳統(tǒng)解決方案相比，隨機訪問時間縮短到1/2并且具備較低的延遲。這些卡可以達到Android A1應(yīng)用程序性能(SDA規(guī)范)，耗電量更少，適合電池壽命有限的小型手持設(shè)備。

S600Sia系列SD/microSD卡最高容量可達256GB，每GB的價格有大幅下降，從而滿足數(shù)據(jù)備份、邊緣計算、事件記錄及地圖導(dǎo)航等應(yīng)用日益增加的數(shù)據(jù)存儲需求，并提供便攜化便利。

ATP可按照客戶要求提供硬件定制方案，例如NAND閃存和控制器芯片的測試接口以及過流保護設(shè)計，對電路提供電流過載或短路保護。