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新思科技與臺積電合作進(jìn)行5納米工藝技術(shù)認(rèn)證
2019/11/25 8:00:00 來源:中國企業(yè)新聞網(wǎng)
導(dǎo)言:近日,新思科技(Synopsys, Inc.,納斯達(dá)克股票代碼:SNPS)宣布其數(shù)字與定制設(shè)計(jì)平臺的數(shù)十項(xiàng)創(chuàng)新功能已獲得高性能計(jì)算(HPC)和移動(dòng)芯片設(shè)計(jì)所必需的臺積電最先進(jìn)5nm工藝技術(shù)認(rèn)證。除了高性能計(jì)算和移動(dòng)芯片設(shè)計(jì)流程認(rèn)證外,新思科技設(shè)計(jì)工具還獲得臺積電業(yè)界領(lǐng)先的N5P和N6工藝技術(shù)認(rèn)證,為早期客戶設(shè)計(jì)工作提供支持。
滿足新一代高性能計(jì)算與移動(dòng)芯片設(shè)計(jì)需求
增強(qiáng)設(shè)計(jì)與驗(yàn)證工具,旨在提高性能和實(shí)現(xiàn)超低功耗
重點(diǎn):
工具通過了適合最新版本臺積電N5/N5P DRM和SPICE模型的認(rèn)證
啟用新思科技功耗優(yōu)化,支持移動(dòng)設(shè)備的超低功耗需求
設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)與signoff的相關(guān)一致性,通過了針對時(shí)序與參數(shù)提取的認(rèn)證,縮短上市時(shí)間
合作還擴(kuò)展至臺積電的N6工藝技術(shù)認(rèn)證,支持早期客戶參與
近日,新思科技(Synopsys, Inc.,納斯達(dá)克股票代碼:SNPS)宣布其數(shù)字與定制設(shè)計(jì)平臺的數(shù)十項(xiàng)創(chuàng)新功能已獲得高性能計(jì)算(HPC)和移動(dòng)芯片設(shè)計(jì)所必需的臺積電最先進(jìn)5nm工藝技術(shù)認(rèn)證。除了高性能計(jì)算和移動(dòng)芯片設(shè)計(jì)流程認(rèn)證外,新思科技設(shè)計(jì)工具還獲得臺積電業(yè)界領(lǐng)先的N5P和N6工藝技術(shù)認(rèn)證,為早期客戶設(shè)計(jì)工作提供支持。
臺積電設(shè)計(jì)基礎(chǔ)設(shè)施管理部門高級總監(jiān)Suk Lee表示:“我們與新思科技的密切合作確保了良好的設(shè)計(jì)流程,以幫助客戶應(yīng)對高性能計(jì)算和移動(dòng)設(shè)計(jì)日益復(fù)雜的要求,并實(shí)現(xiàn)5納米工藝的流片創(chuàng)新。作為臺積電生態(tài)系統(tǒng)的合作伙伴,新思科技繼續(xù)擴(kuò)大在臺積電最先進(jìn)5納米工藝上實(shí)現(xiàn)高性能計(jì)算和移動(dòng)設(shè)計(jì)解決方案的領(lǐng)先優(yōu)勢。”
在高性能計(jì)算和移動(dòng)設(shè)計(jì)流程中增強(qiáng)多種設(shè)計(jì)工具功能使設(shè)計(jì)人員能夠最大限度地利用臺積電5納米工藝在邏輯密度、性能和功耗方面超越上一代工藝節(jié)點(diǎn)的優(yōu)勢。從布局規(guī)劃和布局開始,Synopsys Design Compiler® Graphical綜合和IC Compiler™ II布局與布線創(chuàng)建了新功能,以處理新的5納米間距、鄰接和邊界單元插入所適用的布局規(guī)則。對于移動(dòng)設(shè)備的超低功耗需求,需要增加并使用越來越多的低漏電單元品種。因此,IC Compiler II也進(jìn)行了功能升級,以應(yīng)對低漏電單元布局合規(guī)化所增加的復(fù)雜性。作為高性能計(jì)算和移動(dòng)設(shè)計(jì)流程平臺認(rèn)證的一部分,新思科技StarRC™和PrimeTime® signoff解決方案”的結(jié)果與設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)的結(jié)果進(jìn)行了嚴(yán)格比較,以成功實(shí)現(xiàn)設(shè)計(jì)流程的相關(guān)一致性目標(biāo),從而提高設(shè)計(jì)收斂性,縮短整體上市時(shí)間。
新思科技芯片設(shè)計(jì)事業(yè)部營銷戰(zhàn)略副總裁Michael Sanie表示:“高性能計(jì)算和移動(dòng)市場的快速創(chuàng)新,需要芯片團(tuán)隊(duì)更好利用5納米加工技術(shù),支持客戶滿足他們的設(shè)計(jì)和上市時(shí)間要求。與臺積電的最新合作,可以更好地支持高性能計(jì)算和移動(dòng)芯片設(shè)計(jì)的客戶。我們將持續(xù)努力,為優(yōu)化性能、功耗和邏輯密度提供一流的解決方案,并幫助客戶按時(shí)上市!
合作包含新思科技設(shè)計(jì)平臺的關(guān)鍵產(chǎn)品和功能包括:
IC Compiler II布局布線:全自動(dòng)、全色布線和提取支持,加上擴(kuò)展的過孔支柱自動(dòng)化。部署新一代布局和布局合規(guī)化技術(shù),包括先進(jìn)引腳訪問模型,以支持強(qiáng)力地縮小單元占用空間,提高設(shè)計(jì)利用率。
PrimeTime時(shí)序signoff:針對低電壓的先進(jìn)變異建模,和增強(qiáng)的ECO技術(shù),支持新的物理設(shè)計(jì)規(guī)則。
PrimePower功耗signoff:先進(jìn)的物理感知功耗模型,以精確分析超高密度標(biāo)準(zhǔn)單元設(shè)計(jì)的漏電效應(yīng)。
StarRC提取signoff:處理5納米器件復(fù)雜性的高級建模,以及采用一種共用的技術(shù)文件,用于從綜合到布局布線到Signoff的寄生提取一致性。
IC Validator物理signoff:原生開發(fā)的合格DRC、LVS和填充運(yùn)行集。DRC運(yùn)行集在臺積電發(fā)布設(shè)計(jì)規(guī)則的同時(shí)發(fā)布。
HSPICE®、CustomSim™和FineSim®仿真解決方案:精確的FinFET器件建模,具有蒙特卡羅功能支持,以及模擬、邏輯、高頻和SRAM設(shè)計(jì)的電路仿真。
CustomSim可靠性分析:符合5納米電遷移規(guī)則的考慮自熱效應(yīng)的動(dòng)態(tài)晶體管級IR/EM分析。
Custom Compiler™定制設(shè)計(jì):支持新的5納米設(shè)計(jì)規(guī)則、著色流程、多晶軌道區(qū)和新的MEOL連接要求。
NanoTime定制設(shè)計(jì)時(shí)序signoff:5納米器件的運(yùn)行時(shí)間優(yōu)化,F(xiàn)inFET堆的POCV分析,以及針對定制邏輯和嵌入式SRAM的增強(qiáng)信號完整性分析。
ESP-CV定制設(shè)計(jì)功能驗(yàn)證:用于SRAM、宏和庫單元設(shè)計(jì)的晶體管級符號等價(jià)性檢查。
新思科技簡介
新思科技(Synopsys, Inc. , 納斯達(dá)克股票代碼:SNPS)是眾多創(chuàng)新型公司的 Silicon to Software™(“芯片到軟件”)合作伙伴,這些公司致力于開發(fā)我們?nèi)粘K蕾嚨碾娮赢a(chǎn)品和軟件應(yīng)用。作為全球第 15 大軟件公司,新思科技長期以來一直是電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化(EDA)和半導(dǎo)體IP領(lǐng)域的全球領(lǐng)導(dǎo)者,并且在軟件安全和質(zhì)量解決方案方面也發(fā)揮著越來越大的領(lǐng)導(dǎo)作用。無論您是創(chuàng)建高級半導(dǎo)體的片上系統(tǒng)(SoC)設(shè)計(jì)人員,還是編寫需要最高安全性和質(zhì)量的應(yīng)用程序的軟件開發(fā)人員,新思科技都能夠提供您所需要的解決方案,幫助您推出創(chuàng)新性的、高質(zhì)量的、安全的產(chǎn)品。有關(guān)更多信息,請?jiān)L問 。
編輯聯(lián)系人:
Camille Xu
新思科技
電郵:
James Watts
新思科技
電郵:
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