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　　近日，新思科技(Synopsys, Inc.，納斯達克股票代碼：SNPS)宣布，其數(shù)字和定制設計平臺已獲得臺積公司3奈米制程技術驗證。此次驗證基于臺積公司的最新設計參考手冊(DRM)和工藝設計工具包(PDK)，是經(jīng)過廣泛合作與嚴格驗證的結果。該驗證旨在提供設計解決方案，在獲得優(yōu)化PPA性能的同時加快新一代設計的進程。

　　通過與臺積公司密切合作，新思科技開發(fā)了一系列關鍵的功能和新技術，從而確保從綜合、布局布線到時序和物理簽核在臺積公司 N3制程實現(xiàn)全流程一致性。新思科技的Fusion Compiler™ RTL-to-GDSII解決方案和IC Compiler™ II布局布線解決方案全面支持臺積公司 N3制程。新思科技的Design Compiler® NXT綜合解決方案得到增強，讓開發(fā)者能夠充分利用臺積公司 N3技術優(yōu)勢，獲得高質量的設計結果(QoR)，并利用高精度的全新電阻和電容估計方法實現(xiàn)與IC Compiler™ II布局布線解決方案關聯(lián)的一致性。PrimeTime® 簽核解決方案支持Advanced Mulit-input Switching(MIS)，以實現(xiàn)準確的時序分析和簽核收斂。此外，Design Compiler NXT支持臺積公司 N3制程多種工藝，以實現(xiàn)高性能計算和移動芯片設計。

　　根據(jù)臺積公司 N3制程技術特點，新思科技進一步增強了支持引腳密度感知布局和全局布線建模的數(shù)字設計平臺，以實現(xiàn)更好的標準單元引腳布線收斂;協(xié)同單元放置檢查和優(yōu)化(CLO)，以實現(xiàn)更快的時序收斂;通過新的單元映射(單元密度)基礎架構，最大化利用空余空間來改善PPA;并通過自動生成過孔支柱(via pillar)和部分平行布線實現(xiàn)互連優(yōu)化，以實現(xiàn)高性能設計;優(yōu)化功耗感知混合驅動強度多位觸發(fā)器(MBFF)，以實現(xiàn)低功耗設計。

　　在新思科技定制的設計平臺中增強了Custom Compiler的功能，以加快實現(xiàn)N3模擬芯片設計。這些功能增強是與N3早期用戶(包括DesignWare® IP團隊)共同開發(fā)并驗證的，可減少新設計規(guī)則和其他N3技術要求所需的工作量。新思科技HSPICE®、FineSim®和CustomSim™仿真解決方案有助于縮短基于臺積公司 N3制程技術芯片設計的時間，并為臺積公司 N3電路仿真和可靠性要求提供簽核覆蓋。