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中微公司發(fā)布雙反應(yīng)臺電感耦合等離子體刻蝕設(shè)備Primo Twin-Star(R)

2021/3/16 9:24:40 來源:中國企業(yè)新聞網(wǎng)

導(dǎo)言:中微半導(dǎo)體設(shè)備(上海)股份有限公司在SEMICON China 2021期間正式發(fā)布了新一代電感耦合等離子體(ICP)刻蝕設(shè)備Primo Twin-Star ®,用于IC器件前道和后道制程導(dǎo)電/電介質(zhì)膜的刻蝕應(yīng)用。

  中微半導(dǎo)體設(shè)備(上海)股份有限公司(以下簡稱“中微公司”,上交所股票代碼:688012)在SEMICON China 2021期間正式發(fā)布了新一代電感耦合等離子體(ICP)刻蝕設(shè)備Primo Twin-Star®,用于IC器件前道和后道制程導(dǎo)電/電介質(zhì)膜的刻蝕應(yīng)用! 

中微公司雙反應(yīng)臺電感耦合等離子體刻蝕設(shè)備Primo Twin-Star®

  中微公司雙反應(yīng)臺電感耦合等離子體刻蝕設(shè)備Primo Twin-Star®基于中微公司業(yè)已成熟的單臺反應(yīng)器的電感耦合等離子體(ICP)刻蝕技術(shù)和雙臺反應(yīng)器的Primo平臺,Primo Twin-Star®為電介質(zhì)前道/后道制程、多晶硅刻蝕、DTI和BSI刻蝕等提供了高性價比的刻蝕解決方案。它的創(chuàng)新設(shè)計包括:Primo Twin-Star®使用了雙反應(yīng)臺腔體設(shè)計和低電容耦合3D線圈設(shè)計,創(chuàng)新的反應(yīng)腔設(shè)計可最大程度減弱非中心對稱抽氣口效應(yīng),通過采用多區(qū)溫控靜電吸盤(ESC)增強了對關(guān)鍵尺寸均勻性和重復(fù)性的控制。

  憑借這些優(yōu)異的性能和其他特性,與其他同類設(shè)備相比,Primo Twin-Star® 以更小的占地面積、更低的生產(chǎn)成本和更高的輸出效率,進行ICP適用的邏輯和存儲芯片的介質(zhì)和導(dǎo)體的各種刻蝕應(yīng)用,并用于功率器件和CMOS圖像傳感器(CIS)的刻蝕應(yīng)用。由于Primo Twin-Star®反應(yīng)器在很多方面采取了和單臺機Primo nanova®相同或相似的設(shè)計,在眾多的刻蝕應(yīng)用中,Primo Twin-Star®顯示了和單臺反應(yīng)器相同的刻蝕結(jié)果。這就給客戶提供了高質(zhì)量、高輸出和低成本的解決方案。

  中微公司的Primo Twin-Star®刻蝕設(shè)備已收到來自國內(nèi)領(lǐng)先客戶的訂單。目前,首臺Primo Twin-Star®設(shè)備已交付客戶投入生產(chǎn),良率穩(wěn)定。公司還在進行用于不同刻蝕應(yīng)用的多項評估。Primo Twin-Star®設(shè)備優(yōu)化了中微公司電感耦合等離子體(ICP)刻蝕設(shè)備產(chǎn)品線。

  “現(xiàn)在的制造商對于生產(chǎn)成本日益敏感,我們的目標是為客戶提供技術(shù)創(chuàng)新、高生產(chǎn)率和高性價比的ICP刻蝕解決方案!敝形⒐炯瘓F副總裁兼等離子體刻蝕產(chǎn)品事業(yè)總部總經(jīng)理倪圖強博士說道,“Primo Twin-Star®設(shè)備已在各類前道/后道制程、用于功率器件和CIS應(yīng)用的深溝槽隔離刻蝕(DTI)中表現(xiàn)出卓越的性能。通過提供兼具這些優(yōu)異性能和高性價比的解決方案,我們不僅幫助客戶解決了技術(shù)難題,同時最大程度地提升了其投資效益。”

  Primo Twin-Star®是中微公司的注冊商標。

  關(guān)于中微半導(dǎo)體設(shè)備(上海)股份有限公司

  中微半導(dǎo)體設(shè)備(上海)股份有限公司(證券簡稱:中微公司,證券代碼:688012)致力于為全球集成電路和LED芯片制造商提供領(lǐng)先的加工設(shè)備和工藝技術(shù)解決方案。中微公司開發(fā)的等離子體刻蝕設(shè)備和化學(xué)薄膜設(shè)備是制造各種微觀器件的關(guān)鍵設(shè)備,可加工微米級和納米級的各種器件。這些微觀器件是現(xiàn)代數(shù)碼產(chǎn)業(yè)的基礎(chǔ),它們正在改變?nèi)祟惖纳a(chǎn)方式和生活方式。中微公司的等離子體刻蝕設(shè)備已被廣泛應(yīng)用于國際一線客戶從65納米到5納米工藝的眾多刻蝕應(yīng)用,中微公司開發(fā)的用于LED和功率器件外延片生產(chǎn)的MOCVD設(shè)備已在客戶生產(chǎn)線上投入量產(chǎn),目前已在全球氮化鎵基LED MOCVD設(shè)備市場占據(jù)領(lǐng)先地位。

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[責(zé)任編輯:姚小冰]
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