寶通力推英特爾D7-P5510,釋放企業(yè)數(shù)據(jù)能力新選擇
2021/9/23 17:11:51 來(lái)源:中國(guó)企業(yè)新聞網(wǎng)
導(dǎo)言:疫情的到來(lái),給存儲(chǔ)器行業(yè)摁下了“加速鍵”。辦公、教學(xué)等領(lǐng)域的線上轉(zhuǎn)型,以及AI、5G、物聯(lián)網(wǎng)等新技術(shù)的發(fā)展,使得全球數(shù)據(jù)量出現(xiàn)“爆炸性增長(zhǎng)”,存儲(chǔ)器也成為2020年表現(xiàn)最好的領(lǐng)域。
疫情的到來(lái),給存儲(chǔ)器行業(yè)摁下了“加速鍵”。辦公、教學(xué)等領(lǐng)域的線上轉(zhuǎn)型,以及AI、5G、物聯(lián)網(wǎng)等新技術(shù)的發(fā)展,使得全球數(shù)據(jù)量出現(xiàn)“爆炸性增長(zhǎng)”,存儲(chǔ)器也成為2020年表現(xiàn)最好的領(lǐng)域。據(jù)Gartner統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)顯示,2020年全球存儲(chǔ)器較2019年收入增加135億美元,占2020年整個(gè)半導(dǎo)體市場(chǎng)收入增長(zhǎng)的44%。存儲(chǔ)器約占整個(gè)半導(dǎo)體行業(yè)產(chǎn)值的27%。據(jù)IDC預(yù)測(cè),2025年全球數(shù)據(jù)將有 175 ZettaBytes的總量。如此驚人而又龐大的數(shù)據(jù)量,半導(dǎo)體存儲(chǔ)器將具有極大的市場(chǎng)。
英特爾 3D NAND技術(shù)引領(lǐng)存儲(chǔ)行業(yè)新未來(lái)
近年來(lái),NAND Flash在發(fā)展過(guò)程中逐漸由平面結(jié)構(gòu)升級(jí)為三維架構(gòu),通過(guò)工藝技術(shù)的提升,可以逐漸增加存儲(chǔ)單元的層數(shù),實(shí)現(xiàn)在單位面積下更高的存儲(chǔ)容量。隨著15/16nm部件的全面投產(chǎn),推出了3D / V-NAND產(chǎn)品。在浮動(dòng)門存儲(chǔ)器技術(shù)領(lǐng)域不斷推陳創(chuàng)新的英特爾采用了不同的布局理念,提供了更大的數(shù)據(jù)密度,全球首家推出采用144層存儲(chǔ)單元QLC/TLC PCIe 3D NAND固態(tài)盤,再一次引領(lǐng)了存儲(chǔ)器領(lǐng)域的發(fā)展未來(lái)。
與其他廠家不同的是,英特爾一直致力于通過(guò)最高面密度,為閃存的應(yīng)用實(shí)現(xiàn)更好的經(jīng)濟(jì)效益。
一款SSD的可靠性、性能以及成本,很大一部分取決于后端NAND顆粒,另一部分取決于主控和固件的架構(gòu)優(yōu)化程度。得益于Intel NAND的多項(xiàng)先進(jìn)技術(shù),Intel SSD目前是市場(chǎng)上可靠性最佳的產(chǎn)品,在各大互聯(lián)網(wǎng)數(shù)據(jù)中心里部署占比也是最高的。
相比較傳統(tǒng)柵極技術(shù)達(dá)到128-層TLC,英特爾通過(guò)浮動(dòng)?xùn)艠O技術(shù)實(shí)現(xiàn)144-層TLC,加上陣列下CMOS實(shí)現(xiàn)最高面密度,通過(guò)更小的FG單元和更高效的陣列的技術(shù)搭配,實(shí)現(xiàn)面密度提高10%,同時(shí)每個(gè)晶圓可以承載更高的GB,做到容量擴(kuò)大和制造效率的提高。英特爾正是憑借QLC/TLC 3D NAND在行業(yè)占據(jù)了領(lǐng)先地位。
D7-P5510:釋放數(shù)據(jù)能力的新選擇
作為全球首款144層TLC NAND設(shè)計(jì)的英特爾固態(tài)盤D7-P5510,為企業(yè)和云環(huán)境帶來(lái)了低延遲、增強(qiáng)的管理能力、可擴(kuò)展性和關(guān)鍵的全新NVMe功能。D7-P5510在設(shè)備健康狀況監(jiān)控方面進(jìn)行了較大改善,為多租戶和虛擬化環(huán)境提供了更大的靈活性,并且具備專為支持云工作負(fù)載而優(yōu)化的新算法和功能。可作為云存儲(chǔ)的大容量替代性產(chǎn)品,幫助加速各種云數(shù)據(jù)中心工作負(fù)載,滿足日益增長(zhǎng)的高強(qiáng)度I/O 工作負(fù)載需求。
D7-P5510在TLC閃存上啟用了pTLC模式,從而確保更高寫入耐久度和更快寫入速度的需求。與上一代英特爾固態(tài)硬盤相比,經(jīng)過(guò)性能優(yōu)化的D7-P5510帶來(lái)了高達(dá)2倍的序列讀取性能提升,降低50%的延遲,并在讀寫混合場(chǎng)景下的IOPS提升了50%。另外在耐久度,TRIM時(shí)間等規(guī)格上均有不同程度的提升。
同時(shí),通過(guò)固態(tài)盤驅(qū)動(dòng)控制器將寫入均勻分布到盤上,可以避免一些單元受到反復(fù)沖擊。D7-P5510提供了更大的 “表面積” 來(lái)分配寫入,從而減少整體退化,從而進(jìn)一步提升了耐久性和壽命。
除此之外,D7-P5510還特別進(jìn)行了大量固件增強(qiáng),從而大大提升提高IT效率和數(shù)據(jù)安全性。
擴(kuò)展的LBA格式支持為托管軟件提供了靈活性。
SGL技術(shù)通過(guò)消除主機(jī)數(shù)據(jù)對(duì)齊的需求來(lái)提高性能。
增強(qiáng)的SMART監(jiān)控功能,增強(qiáng)設(shè)備檢查功能包括SMART檢查、易失性內(nèi)存?zhèn)浞荨VM完整性、驅(qū)動(dòng)器壽命等檢查。
Telemetry實(shí)現(xiàn)了對(duì)大范圍存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的訪問(wèn),并支持加速的認(rèn)證周期,從而提高IT效率。
支持 TCG Opal 2.0、可配置命名空間鎖定、清潔和格式化NVM等額外的安全功能。
具有內(nèi)置自檢功能PLI保護(hù)方案可在系統(tǒng)突然斷電時(shí)防止數(shù)據(jù)丟失。結(jié)合業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的端到端數(shù)據(jù)路徑保護(hù)方案,可使部署到數(shù)據(jù)恢復(fù)中心更便捷高效。
依靠嚴(yán)苛的質(zhì)量和極致的產(chǎn)品可靠性D7-P5510可以確保在溫存儲(chǔ)中大規(guī)模部署。對(duì)于適應(yīng)場(chǎng)景來(lái)說(shuō),針對(duì)需要快速訪問(wèn)大型數(shù)據(jù)集的讀取密集型工作負(fù)載進(jìn)行了優(yōu)化,更加適合云存儲(chǔ)、AI、CDN、HCI、HPC等。此外,大規(guī)模整合存儲(chǔ)空間,從而大幅降低TCO。在耐久性、性能、質(zhì)量和可靠性、成熟度等多方面,D7-P5510表現(xiàn)出色不失為云存儲(chǔ)以及企業(yè)數(shù)字化應(yīng)用的最佳選擇。
結(jié)語(yǔ)
英特爾持續(xù)在NAND上的投入和創(chuàng)新,使得英特爾的SSD將繼續(xù)成為企業(yè)數(shù)據(jù)中心的首選。寶通集團(tuán)作為英特爾中國(guó)區(qū)總代理,將利用自身豐富的產(chǎn)品資源及技術(shù)服務(wù)優(yōu)勢(shì)為廣大企業(yè)用戶提供更好的支持和基于英特爾SSD產(chǎn)品存儲(chǔ)解決方案和優(yōu)質(zhì)售前售后服務(wù)支撐。
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