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　　今年，環(huán)旭電子進(jìn)入智能穿戴模組領(lǐng)域的第九年，并在先進(jìn)封裝技術(shù)的開發(fā)方面又登上新臺階。雙面塑封和薄膜塑封是環(huán)旭電子最新開發(fā)的技術(shù)，雙面塑封實現(xiàn)了模組的最優(yōu)化設(shè)計。薄膜塑封技術(shù)的引入，實現(xiàn)了信號連接導(dǎo)出區(qū)域的最小化設(shè)計，同時可以和其他塑封區(qū)域同時在基板的同一側(cè)實現(xiàn)同時作業(yè)。

　　一直以來，手機(jī)是推動微小化技術(shù)的主要動力，如今微小化技術(shù)正在多項領(lǐng)域體現(xiàn)其優(yōu)勢，其中智能穿戴領(lǐng)域?qū)ξ⑿』�技術(shù)的需求越來越高。系統(tǒng)級封裝技術(shù)是為智能手表、藍(lán)牙耳機(jī)等新型智能穿戴電子產(chǎn)品提供高度集成化和微小化設(shè)計的關(guān)鍵技術(shù)。環(huán)旭電子不斷加強研發(fā)投入，包括先進(jìn)SMT技術(shù)、塑封制程(Molding)、新型切割技術(shù)(激光切割和傳統(tǒng)鋸刀刀切割技術(shù)相結(jié)合)以及薄膜濺鍍技術(shù)這些領(lǐng)域都取得了突破。

　　在SMT技術(shù)方面，環(huán)旭電子在傳統(tǒng)SMT技術(shù)的基礎(chǔ)上，實現(xiàn)了更小間距的零件貼裝，目前可以實現(xiàn)的最小零件間距為50微米。同時，還開發(fā)了單顆模組的SMT貼裝工藝和3D SMT貼裝技術(shù)，可以實現(xiàn)靈活選擇Panel level或SiP level SMT制程。

　　塑封制程被視作先進(jìn)SiP封裝技術(shù)區(qū)別于傳統(tǒng)封裝技術(shù)的最大優(yōu)勢，可以有效地實現(xiàn)對小間距高密度封裝零件的保護(hù)，從而最大化實現(xiàn)空間利用率。環(huán)旭電子在傳統(tǒng)塑封技術(shù)基礎(chǔ)上，開發(fā)了多臺階塑封、區(qū)域性塑封、雙面塑封、薄膜塑封等技術(shù)。其中，多臺階塑封可以根據(jù)內(nèi)部封裝組件的高度選擇塑封高度，一方面減少塑封材料的使用，一方面可以給產(chǎn)品機(jī)構(gòu)的設(shè)計讓出空間。區(qū)域性塑封指的是在塑封的同時，針對產(chǎn)品應(yīng)用需求將不需要或不能塑封的組件和信號Pin曝露在塑封區(qū)域外，實現(xiàn)塑封和未塑封共存于PCB同一面。

　　在激光技術(shù)方面，環(huán)旭電子則進(jìn)一步拓展了應(yīng)用領(lǐng)域。在傳統(tǒng)封裝中，激光技術(shù)通常只用作打標(biāo)，環(huán)旭電子則開發(fā)出了使用激光切割實現(xiàn)模組的異形切割，在滿足客戶設(shè)計需求的同時，也為機(jī)構(gòu)設(shè)計提供了更高的靈活性。而利用激光的高度可控性，還能實現(xiàn)在塑封體表面進(jìn)行精準(zhǔn)地切割并控制其深度進(jìn)行局部區(qū)域間隔屏蔽。

　　濺鍍屏蔽是取代傳統(tǒng)鐵蓋屏蔽制程的新工藝，可提供更好的屏蔽效果而且?guī)缀醪徽伎臻g。今年，環(huán)旭電子在傳統(tǒng)濺射技術(shù)基礎(chǔ)上開發(fā)了選擇性濺射制程，來解決在基板同一表面需要電磁屏蔽區(qū)域和非電磁屏蔽區(qū)域共存地設(shè)計難題。通過遮擋的方式在濺射前把非電磁屏蔽區(qū)域保護(hù)起來，在濺射后移除遮擋物，后續(xù)SMT在此區(qū)域貼裝功能組件，實現(xiàn)了功能區(qū)域的區(qū)隔。目前，環(huán)旭電子也在評估更高效的電磁屏蔽技術(shù)，霧化噴涂工藝、plasma噴涂、真空印刷等工藝開發(fā)和應(yīng)用。

　　環(huán)旭電子從2013年就開始致力于可穿戴式產(chǎn)品相關(guān)SiP模組的微小化、高度集成化的開發(fā)，包括局域間隔屏蔽、選擇性塑封、薄膜塑封技術(shù)、選擇性濺鍍、異形切割技術(shù)、干冰清洗技術(shù)、3D鋼網(wǎng)印刷等新型先進(jìn)封裝技術(shù)。隨著更多技術(shù)在量產(chǎn)上的運用，環(huán)旭電子將繼續(xù)在SiP技術(shù)創(chuàng)新上加碼。