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SK海力士展示全球首個(gè)321層NAND樣品

2023/8/9 15:57:10 來(lái)源：中國(guó)企業(yè)新聞網(wǎng) 評(píng)論：(0)

導(dǎo)言：SK海力士公司展示了321層4D NAND的樣品，公開了其開發(fā)行業(yè)首款具有超過(guò)300層的NAND的進(jìn)展。

　　SK海力士公司展示了321層4D NAND的樣品，公開了其開發(fā)行業(yè)首款具有超過(guò)300層的NAND的進(jìn)展。

　　該公司展示了其321層1Tb TLC 4D NAND Flash的開發(fā)進(jìn)展，并在8月8日至10日在圣克拉拉舉行的Flash Memory Summit(FMS)2023上展示了樣品。

　　SK海力士是首家詳細(xì)披露開發(fā)具有超過(guò)300層的NAND進(jìn)展的公司。該公司計(jì)劃提高321層產(chǎn)品的完成水平，并從2025年上半年開始大規(guī)模生產(chǎn)。

　　該公司表示，其從已經(jīng)大規(guī)模生產(chǎn)的世界最高238層NAND的成功中積累的技術(shù)競(jìng)爭(zhēng)力為321層產(chǎn)品的開發(fā)鋪平了道路。 “通過(guò)另一次突破以解決堆疊限制，SK海力士將開啟超過(guò)300層的NAND時(shí)代并引領(lǐng)市場(chǎng)�！�

　　與早期的238層512Gb相比，321層1Tb TLC NAND的生產(chǎn)率提高了59%，這要?dú)w功于技術(shù)發(fā)展，該技術(shù)使更多單元格堆疊和更大存儲(chǔ)容量在單個(gè)芯片上實(shí)現(xiàn)，這意味著可以在單個(gè)晶片上生產(chǎn)的總?cè)萘吭黾恿恕?

　　FMS上，SK海力士還介紹了針對(duì)此類AI需求進(jìn)行優(yōu)化的下一代NAND解決方案，包括采用PCIe Gen5接口和UFS 4.0的企業(yè)SSD。

　　該公司預(yù)計(jì)這些產(chǎn)品將實(shí)現(xiàn)行業(yè)領(lǐng)先的性能，以充分滿足高性能客戶的需求。

　　SK海力士還宣布已經(jīng)開始開發(fā)下一代PCIe Gen6和UFS 5.0，并表示致力于引領(lǐng)行業(yè)趨勢(shì)。　　(美通社頭條)

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[責(zé)任編輯：姚小冰]