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江波龍F(tuán)ORESEE 2xnm SLC NAND Flash以先進(jìn)制程工藝迎接WiFi7時(shí)代

2024/9/4 10:56:50 來源:中國(guó)企業(yè)新聞網(wǎng)

導(dǎo)言:9月4日,隨著消費(fèi)者對(duì)電子產(chǎn)品耐用性和性能的期望日益增長(zhǎng),市場(chǎng)上對(duì)元器件的選擇標(biāo)準(zhǔn)也在不斷提高。

  9月4日,隨著消費(fèi)者對(duì)電子產(chǎn)品耐用性和性能的期望日益增長(zhǎng),市場(chǎng)上對(duì)元器件的選擇標(biāo)準(zhǔn)也在不斷提高。在眾多關(guān)鍵組件中,NAND Flash因其在數(shù)據(jù)存儲(chǔ)和處理速度上的核心作用,成為了廠商們尤為重視的焦點(diǎn)。在這一背景下,NAND Flash不僅需要滿足基本的存儲(chǔ)需求,更要在性能、可靠性以及耐用性上達(dá)到更高的標(biāo)準(zhǔn)。客戶期望的不再僅僅是"夠用",而是"超越期望"。

  近日,在ELEXCON2024深圳國(guó)際電子展上,江波龍首次提出了PTM(存儲(chǔ)產(chǎn)品技術(shù)制造)商業(yè)模式。該模式的核心在于整合公司的自研存儲(chǔ)芯片、固件、硬件和先進(jìn)封測(cè)制造技術(shù),實(shí)現(xiàn)更靈活、更高效的全棧式定制化服務(wù)和一站式交付。

  同時(shí),江波龍還正式公布了自研的2xnm SLC NAND Flash系列產(chǎn)品,以創(chuàng)新技術(shù)滿足市場(chǎng)對(duì)高性能、高可靠性的閃存需求,為PTM商業(yè)模式下的自研存儲(chǔ)芯片注入了新動(dòng)力。

  全新制程工藝 業(yè)界領(lǐng)先性能

  新一代的FORESEE SLC NAND Flash在技術(shù)層面實(shí)現(xiàn)了重大突破。產(chǎn)品采用2xnm工藝,不僅實(shí)現(xiàn)了業(yè)界領(lǐng)先的166MHz工作頻率,而且在電路設(shè)計(jì)上進(jìn)行了創(chuàng)新,有效降低了噪聲干擾,實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)的快速讀寫。在性能及容量不斷提升的同時(shí),各應(yīng)用場(chǎng)景對(duì)于可靠性和微型化的要求并未降低。工程師團(tuán)隊(duì)針對(duì)不同SoC方案,通過高精度電路和改進(jìn)的讀寫算法,集成了具有更強(qiáng)糾錯(cuò)能力的片上ECC引擎。在保持小尺寸的基礎(chǔ)上,F(xiàn)ORESEE SLC NAND Flash具備更卓越的數(shù)據(jù)保持能力和擦寫耐用性。

  經(jīng)過江波龍全面的測(cè)試流程驗(yàn)證,該產(chǎn)品能夠滿足10萬次擦寫性能和10年數(shù)據(jù)保持時(shí)間的嚴(yán)苛要求。

  自研Flash芯片 探索多元選擇

  FORESEE 2xnm SLC NAND Flash系列提供SPI(x1/x2/x4)和PPI(x8)兩種主流接口選項(xiàng),并提供2Gb、4Gb和8Gb等多種容量選擇,支持-40~85℃至-40~105℃的寬溫工作環(huán)境,確保在極端環(huán)境下也能穩(wěn)定運(yùn)行。此外,WSON8、TSOP 48、BGA 48和BGA 63的多樣化封裝形式,為不同應(yīng)用場(chǎng)景提供了靈活的集成設(shè)計(jì)方案。該款產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于xPON、WiFi路由器、IPC、MIFI和CPE等市場(chǎng),為智能設(shè)備提供了強(qiáng)大的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)支持。

  迎接WiFi7時(shí)代 定制客戶未來所需

  以無線路由器設(shè)備為例,當(dāng)前WiFi5&6使用的主流閃存容量為1Gbit甚至容量更小的128Mbit,但隨著WiFi7路由器、FTTR等高性能設(shè)備逐漸開始商用,需要使用2Gbit SLC NAND Flash才能夠滿足其系統(tǒng)要求。同時(shí),當(dāng)前主流的SPI NAND Flash主頻規(guī)格為120MHz,未來隨著AI及邊緣計(jì)算的規(guī);l(fā)展,133MHz和166MHz的更高主頻規(guī)格將有望成為市場(chǎng)"新寵"。

  FORESEE團(tuán)隊(duì)深刻理解客戶需求,為了滿足市場(chǎng)對(duì)讀取性能的需求,F(xiàn)ORESEE 2Gb SPI NAND Flash產(chǎn)品支持DTR模式,在不升頻的情況下,支持時(shí)鐘上升沿及下降沿接收地址信息并傳送數(shù)據(jù),并在Quad SPI模式下實(shí)現(xiàn)了數(shù)據(jù)吞吐量的顯著提升。此外,團(tuán)隊(duì)通過不斷優(yōu)化芯片設(shè)計(jì),產(chǎn)品還加入了內(nèi)部cache的頁(yè)數(shù)據(jù)搬移技術(shù),極大提高了文件系統(tǒng)效率和關(guān)鍵數(shù)據(jù)的調(diào)用效率。

  控制器與Flash設(shè)計(jì)+固件開發(fā)+封測(cè)制造

  存儲(chǔ)芯片完整垂直整合能力

  通過在NAND Flash、主控芯片和封測(cè)制造能力的一系列布局,江波龍?jiān)诩夹g(shù)、制程工藝、產(chǎn)能效率以及供應(yīng)鏈管理等方面實(shí)現(xiàn)了質(zhì)的飛躍,進(jìn)一步提升在存儲(chǔ)芯片領(lǐng)域的綜合競(jìng)爭(zhēng)力。從芯片設(shè)計(jì)到產(chǎn)品測(cè)試,再到規(guī)模化量產(chǎn),江波龍已構(gòu)建起存儲(chǔ)芯片完整的垂直整合能力,為客戶提供一站式存儲(chǔ)產(chǎn)品技術(shù)制造的全棧定制服務(wù)。

  未來,江波龍研發(fā)團(tuán)隊(duì)將不斷深化SLC NAND Flash芯片設(shè)計(jì)能力,持續(xù)優(yōu)化產(chǎn)品規(guī)格,增強(qiáng)SLC NAND Flash的易用性,為MLC NAND Flash的自主批量生產(chǎn)做好充分準(zhǔn)備,以適應(yīng)不斷變化的市場(chǎng)需求。同時(shí),公司將繼續(xù)深入挖掘NAND Flash、DRAM、主控芯片的應(yīng)用潛力,并融合前瞻性技術(shù),尋求更先進(jìn)的工藝節(jié)點(diǎn)來設(shè)計(jì)產(chǎn)品,從而加強(qiáng)產(chǎn)品線的協(xié)同效應(yīng),實(shí)現(xiàn)存儲(chǔ)性能與成本效益的最優(yōu)平衡,更好地服務(wù)全球客戶。

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[責(zé)任編輯:姚小冰]
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