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基于7nm FinFET工藝的新思科技Die-to-Die PHY IP核加速云計算片上系統設計
2019/12/3 9:00:00 來源:中國企業(yè)新聞網
導言:近日,新思科技(Synopsys, Inc.,納斯達克股票代碼:SNPS)宣布,推出用于超大規(guī)模數據中心、人工智能和網絡設計的多芯片模塊(MCM)超短距離連接的DesignWare®Die-to-Die PHY IP核。
DesignWare Die-to-Die PHY支持在大型、多芯片模塊設計中實現超短距離連接
重點:
-- 超低功耗DesignWare Die-to-Die PHY IP核在超大規(guī)模數據中心提供小于1pJ/bit的最佳能源效率
-- 緊湊的模擬前端為大型多芯片模塊設計提供可達50毫米的可靠連接
-- 靈活的架構允許以極低延遲和誤碼率的連接把核心邏輯劃分在多個Die上。
-- 與DesignWare 112G/56G以太網、HBM2/2E、DDR5/4和PCI Express 5.0 IP核相結合,新思科技為高性能計算和網絡片上系統提供全面的解決方案
近日,新思科技(Synopsys, Inc.,納斯達克股票代碼:SNPS)宣布,推出用于超大規(guī)模數據中心、人工智能和網絡設計的多芯片模塊(MCM)超短距離連接的DesignWare®Die-to-Die PHY IP核。DesignWare Die-to-Die PHY IP核支持從2.5G到112G數據速率的NRZ和PAM-4信令,為大型MCM設計提供最大的每芯片邊緣吞吐量。為了提高片上系統(SoC)產量,Die-to-Die PHY允許將大型芯片分割成較小的芯片,同時為功率、單位IO寬度、延遲或傳輸距離的帶寬提供了權衡。作為新思科技全面云計算IP核解決方案的最新補充,DesignWare Die-to-Die PHY由經流片驗證的112G/56G以太網、HBM 2/2e、DDR 5/4和PCI Express 5.0控制器、PHY和驗證IP核組成。
新思科技為設計者提供了全面的布線可行性分析、封裝基板指南、信號和電源完整性模型以及串擾分析,以便將DesignWare Die-to-Die PHY快速集成到片上系統中。X16通道配置中的半雙工發(fā)射器和接收器為高吞吐量的die-to-die連接提供每毫米每秒1.8TB的單向帶寬。為了滿足先進FinFET工藝中片上系統的功率要求,Die-to-Die PHY為超低功耗die-to-die和die-to-optical的引擎連接提供不到1 pJ/bit的功耗。DesignWare Die-to-Die PHY IP核符合OIF CEI-112G和CEI-56G 超短距離(USR)和超短程(XSR)連接標準。
新思科技解決方案事業(yè)部營銷副總裁John Koeter表示:“用于高端數據中心和網絡應用的先進片上系統正在接近最大的晶片尺寸限制,這就要求設計者將片上系統劃分為較小的模塊化芯片。具有領先功耗、性能和面積的DesignWare Die-to-Die PHY IP核使我們的用戶能夠滿足其在設計最先進FinFET工藝方面的短距離連接需求,并迅速向市場提供與眾不同的差異化產品!
可用性
7nm FinFET工藝的DesignWare Die-to-Die PHY IP核的硅設計工具包現已推出。
DesignWare IP核簡介
新思科技是面向芯片設計提供高質量硅驗證IP核解決方案的領先供應商。DesignWare IP核組合包括邏輯庫、嵌入式存儲器、嵌入式測試、模擬IP、有線和無線接口IP、安全IP、嵌入式處理器和子系統。為了加速原型設計、軟件開發(fā)以及將IP整合進芯片,新思科技IP Accelerated計劃提供IP原型設計套件、IP軟件開發(fā)套件和IP子系統。新思科技對IP核質量的廣泛投資、全面的技術支持以及強大的IP開發(fā)方法使設計人員能夠降低整合風險,并加快上市時間。垂詢DesignWare IP核詳情,請訪問。
新思科技簡介
新思科技(Synopsys, Inc. , 納斯達克股票代碼:SNPS)是眾多創(chuàng)新型公司的 Silicon to Software™(“芯片到軟件”)合作伙伴,這些公司致力于開發(fā)我們日常所依賴的電子產品和軟件應用。作為全球第 15 大軟件公司,新思科技長期以來一直是電子設計自動化(EDA)和半導體IP領域的全球領導者,并且在軟件安全和質量解決方案方面也發(fā)揮著越來越大的領導作用。無論您是創(chuàng)建高級半導體的片上系統(SoC)設計人員,還是編寫需要最高安全性和質量的應用程序的軟件開發(fā)人員,新思科技都能夠提供您所需要的解決方案,幫助您推出創(chuàng)新性的、高質量的、安全的產品。
前瞻性聲明
本新聞稿包含1934年《證券交易法》第21E條所界定的前瞻性陳述,包括有關臺積電N5P工藝DesignWare Interface和Foundation IP的預期發(fā)布和好處的聲明,包括USB、DisplayPort、DDR、LPDDR、HBM、PCI Express、以太網、MIPI和HDMI。任何非歷史事實陳述可視為前瞻性陳述。這些陳述涉及已知和未知的風險、不確定性和其他因素,可能導致實際結果、時間框架或成就與前瞻性陳述中所表達或隱含的內容大不相同。這些風險和不確定性包括產品時間表和開發(fā)計劃,或者互操作性、性能和電源問題?赡苓m用的其他風險和不確定因素載于新思科技最近提交的Form 10-Q季度報告中的“風險因素”部分。即使將來有了新信息,新思科技不承擔公開更新任何前瞻性聲明的義務,或者更新實際結果可能與這些前瞻性聲明中的預期結果大不相同的原因。
免責聲明:
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