國外開發(fā)出固態(tài)晶體生長技術
導言：美國得克薩斯農工大學（Texas A&M University）科研人員開發(fā)出一種無需熔體加工即可生長單晶并同時控制其生長方向的新方法——固態(tài)晶體生長（SSCG）技術。
美國得克薩斯農工大學（Texas A&M University）科研人員開發(fā)出一種無需熔體加工即可生長單晶并同時控制其生長方向的新方法——固態(tài)晶體生長（SSCG）技術。
控制單晶的尺寸、形狀和晶體取向對于控制材料特性至關重要。這種新方法無需采用熔融加工技術，通過簡單的熱處理即可根據需要制造具有不同晶體取向的大塊晶體。科研人員在FeMnAlNi和CuMnAl兩種合金系統(tǒng)中進行了展示，并在固態(tài)下實現了大量可重復的取向變化。相關研究成果發(fā)表在《材料快報》（Acta Materialia）期刊上。
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